Forum Krótkofalarskie PKI

Podchodzę do tematu lutowania tranzystora GaAs FET, będę to robił pierwszy raz i mam kilka pytań.

1. Jaka jest krytyczna temperatura lutowania.
2. Czym lutować HOTEM czy grzałką.
3. cyna, jaka temperatura topnienia, zauważyłem że luty które były na płycie szybciej się rozpuszczały niż nowe które naniosłem moja cyną.
4. na co zwrócić uwagę podczas lutowania, kolejność lutowania nóżek itp.

Dodam że posiadam opaskę uziemiającą.

Myślę że taka informacja przyda się innym zaczynającym zabawę z GaAs-fetami.

Witam.
1. To można wyczytać z noty katalogowej danego elementu, ale przeważnie nie przekraczać 360°C, czas lutowania max. 5 sek
2. To już zależy od techniki. Z powodzeniem można i HOT AIR jak i grzałką. Z powodzeniem lutuje układy scalone, obudowa TQFP, SOIC i inne podobne. Np. przy obudowie TQFP na początku wszystkie "nóżki" lutuje razem (cyna z dużą ilością kalafonii, lut ładnie się rozlewa), a później za pomocą dobrze rozgrzanego grota i plecionki przejeżdżam po "nóżkach" scalaka i gotowe.
3. Zależy jaka cyna, średnica rodzaj topnika itp. Najważniejsze, aby była z topnikiem (rdzeń = topnik) + dodatkowo kalafonia. Zapobiega to tworzeniu się zimnych lutów.
4. Jeżeli posiada się opaskę uziemiającą to kolejność lutowania jest dowolna i bez opaski można sobie poradzić. Ja łączyłem grot lutownicy z uziemioną rurą za pomocą linki miedzianej albo wcześniej sam + lutownica na chwilę podłączyłem się do uziemienia i wtedy mogłem tranzystor FET trzymać w dłoni bez uszkodzenia.

Ogólnie informacje na temat lutowania przydają się nie tylko do tranzystorów FET, ale do większości elementów w tym SMD. Każdy ma swoją wypracowaną technikę.

Szymon, trzeba by do tych punktów jeszcze dopisać, żeby przy tych pracach nie używać nylonowych majtek, no chyba, że uziemionych :-)

Uziemienie może nie ale wyrównanie potencjałów płytki, rąk, narzędzi. do odlutowywania zalecają podgrzać płytkę od spodu od strony masy.