| IC756PRO3 - zbija moc po nagrzaniu. |
antek pisze: Musisz sprawdzić każdy element pomiędzy Q1 a L4 . Dziękuję za sugestię - zawężone pomiary wykazały, że w momencie "awarii" ba bramce jednego z tranzystorów drivera czyli mosfecie RD15HVF1 amplituda sygnału RF jest dużo wyższa niż na bliźniaczym w układzie PP. Czyli w tym miejscu jest brak obciążenia więc albo uszkodzony tranzystor i po nagrzaniu bramka traci wewnętrzne połączenie ze strukturą albo elementy wokół tranzystora. EDIT: W celu potwierdzenia/wyeliminowania uszkodzenia tranzystora zamienię go miejscem z blizniakiem... |