| GaAs FET - technika lutowania |
| Witam. 1. To można wyczytać z noty katalogowej danego elementu, ale przeważnie nie przekraczać 360°C, czas lutowania max. 5 sek 2. To już zależy od techniki. Z powodzeniem można i HOT AIR jak i grzałką. Z powodzeniem lutuje układy scalone, obudowa TQFP, SOIC i inne podobne. Np. przy obudowie TQFP na początku wszystkie "nóżki" lutuje razem (cyna z dużą ilością kalafonii, lut ładnie się rozlewa), a później za pomocą dobrze rozgrzanego grota i plecionki przejeżdżam po "nóżkach" scalaka i gotowe. 3. Zależy jaka cyna, średnica rodzaj topnika itp. Najważniejsze, aby była z topnikiem (rdzeń = topnik) + dodatkowo kalafonia. Zapobiega to tworzeniu się zimnych lutów. 4. Jeżeli posiada się opaskę uziemiającą to kolejność lutowania jest dowolna i bez opaski można sobie poradzić. Ja łączyłem grot lutownicy z uziemioną rurą za pomocą linki miedzianej albo wcześniej sam + lutownica na chwilę podłączyłem się do uziemienia i wtedy mogłem tranzystor FET trzymać w dłoni bez uszkodzenia. Ogólnie informacje na temat lutowania przydają się nie tylko do tranzystorów FET, ale do większości elementów w tym SMD. Każdy ma swoją wypracowaną technikę. |